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Thermal stability of hyper-doped n-type Ge and Si <sub>0.15</sub> Ge <sub>0.85</sub> epilayers obtained by <i>in situ</i> doping and pulsed laser melting

W4412516608 · 수집 2026-10-04 18:16:38

T10022 Semiconductor Quantum Structures and Devices

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